第三代半导体崛起，去离子水成关键瓶颈

随着新能源、5G通信等领域对高性能器件的需求激增，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，其衬底制造工艺面临严苛挑战。生产过程中，水质需满足 金属离子含量低于ppt级（万亿分之一）、TOC≤2ppm、颗粒物＜1个/mL、电阻率≥18.2MΩ·cm 等极限指标，传统水处理技术难以企及。

仟净方案：全链条技术攻克水质“天花板”

东莞市仟净环保设备有限公司凭借在半导体超纯水领域十余年的技术积淀，为某头部碳化硅衬底厂商定制50吨/小时级超纯水系统。该方案通过三重突破实现水质达标：

工艺创新：采用“双级RO+EDI+抛光混床+超滤”复合工艺，结合纳米级除颗粒技术，确保TOC与颗粒物控制达行业顶尖水平；

材料升级：管路系统全采用高纯PVDF/EP级不锈钢，密封接口使用电抛镜面处理，从源头阻断金属离子析出；

工程闭环：从设计、制造到安装调试全程无菌环境作业，避免二次污染风险。

国产替代加速，技术红利赋能产业升级

该项目历时8个月完成安装调试，目前设备已投入试运行，水质指标全面满足碳化硅衬底量产需求。仟净环保已服务超20家半导体企业，覆盖晶圆制造、化合物半导体等领域，其超纯水系统在良率提升与运维成本控制方面表现突出，助力客户突破“卡脖子”环节。